生长外延横向长满氮化镓衬底InGaN基蓝色发光二极管
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2014年2月12日
- 作者：Cloudy
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InGaN单量子阱结构的蓝色发光二极管（LED）上生长外延横向杂草丛生的氮化镓（ELOG）和蓝宝石衬底。发射
光谱显示了类似的蓝移而增加的正向电流为两个LED 。两个发光二极管的输出功率几乎相同，高达6 mW在20mA的电流。在蓝宝石上的LED有与上ELOG比较了大量的泄漏电流。这些结果表明，在组合物中的波动不是由位错引起的位错不采取行动，在InGaN作为非辐射复合中心，位错形成的漏电流通路中的InGaN。
氮化铟镓型氮化镓多量子阱（MQW ），蓝色和绿色发光二极管（LED）是由有机金属气相磊晶准备并且这些LED的性能进行了光致发光（ PL ） ，双晶X射线衍射和电致发光评价致发光（EL ）测量结果发现只有在当增加的量子阱的数目（ QW）的蓝色LED的MQW的PL和EL的峰值位置观察到小的变化然而在PL和EL峰的位置显著转变为绿色多量子阱发光二极管进行观察时量子阱的数目增加。有人还发现，有蓝色MQW LED的大蓝移EL峰位高电流注入下。然而，蓝移绿多量子阱发光二极管是小到可以忽略时，注入电流很大。这些观察结果都可以被归因于绿色的多量子阱发光二极管的快速弛豫由于在InGaN阱的In组成比率是高的绿色的多量子阱发光二极管。绿色MQW LED的正向电压Vf也被发现是比由于同样的原因，蓝色LED的MQW较大。
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