基于InGaN的紫色激光二极管
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2014年2月11日
- 作者：Cloudy
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高效率的发光二极管发射琥珀色，绿色，蓝色和紫外光已经通过替代氮化镓活性层使用InGaN有源层获得。在
InGaN有源层造成的In组成波动的局部能量状态似乎已被相关的InGaN基发光器件的高效率。长寿命紫色的InGaN multi-quantum-well/GaN/AlGaN单独禁闭异质结激光二极管（LD ）成功地制作中，采用侧向外延生长氮化镓杂草丛生通过减少大量的线位错的氮化镓和蓝宝石衬底之间的界面发起的。穿透位错通过增加阈值电流密度的缩短的LD的寿命。与切割镜面的摩门教显示输出功率高达30毫瓦下室温连续波（ CW）操作与稳定基横模。这些LD在5兆瓦的恒定输出功率的寿命估计为下连续运行约3000小时在50° C的环境温度这些结果表明，这些LD的已经可以被用于许多实际的应用中，例如数字通用盘，激光打印机，传感器和令人兴奋的光源作为商业产品具有高输出功率和高的可靠性。
条纹和脊几何中的InGaN多量子阱（MQW ）结构激光二极管（LD ）的制作在蓝宝石基板与方向（A面） 。脊几何InGaN多量子阱的LD表现出较强的受激发射在411.3纳米波长的脉冲电流注入199毫安在室温下。每面的微分量子效率和脊几何LD的阈值电流分别为30％和180毫安。该激光器的阈值电流密度为3 kA/cm2 。这些值相比，那些条形几何的LD都大大提高。阈值电流的温度特性是大约185 K。
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