C面蓝宝石氮化镓磊晶通过射频等离子体氮化预处理
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2014年2月11日
- 作者：Cloudy
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氮化镓在蓝宝石上分子束外延生长层的结晶质量通常是通过在衬底的氮化改善。使用X-射线光电子能谱法，低能电
子衍射和原子力显微镜在暴露于RF等离子体来检查对于c面蓝宝石氮化的情况下产生的氮自由基。表面氮化物的单层〜 300分钟的曝光与基板后，在400 ℃下形成延长暴露引起的c-面蓝宝石突起的生长，从而导致粗糙的表面形态。此外，我们报告去除在热处理时不定表面的碳在300℃下在氮等离子体中，尽管有效率进行氢等离子体清洗相比也有所减少。
通过使用掩模图案化的氮化镓外延层在蓝宝石衬底上低压有机金属气相外延进行氮化镓的选择性生长。5-16微米的直径，具有光滑的竖直面和无脊生长氮化镓六角形微棱镜，制备了在蓝宝石衬底上。氮化镓构成这个垂直刻面平行于一个面蓝宝石衬底的。无论是使用蓝宝石衬底和低工作压力上外延GaN层的贡献得到平滑的顶部和垂直的面的表面。另外，氮化镓构成的条纹结构，得到了具有矩形横截面。此外，掩模图案化方向的选择被认为是因为30 °旋转的氮化镓层和蓝宝石衬底之间的晶格取向的重要。
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