蓝宝石衬底的氮化和其上的氮化镓层在低温下生长的效果

 
 

远程等离子体配备了射频(RF )增强型超高真空化学气相沉积系统 - 其产生的活性氮被雇用在低温下生长的氮化镓蓝宝石衬底层电感耦合等离子体。该氮化的衬底表面上的氮组合物的X-射线光电子能谱分析表明,在衬底表面上的氮化处理主要是在低温下受RF功率。然而,原子力显微镜图像表明,在氮化的蓝宝石表面的凸起密度主要取决于氮化温度。这是可能的nitridate蓝宝石表面而不产生突起的,通过控制甚至在低温下的RF功率和氮化温度。在450℃下生长的氮化镓的结晶被认为是大大改善了当在蓝宝石衬底的氮化镓层生长前的氮化的低温。此外,在氮化镓层的横向生长,不仅通过增加生长温度还要通过蓝宝石衬底的氮化镓层生长前的氮化增强。

带槽的c-面蓝宝石衬底上首先系统地通过湿化学蚀刻的调查,用硫酸和一个3硫酸:1磷酸混合物作腐蚀剂。带槽的蓝宝石与掩模的条纹沿着指示的结构和形态特征,分别进行了在不同腐蚀时间和温度下用扫描电子显微镜(SEM)分析。两种槽形状而异。一个是V形槽都是由一个单一的小面形成的,它的两个侧壁上。另一种是一个U形槽的一个侧壁是由两个或三个小平面,而另一侧壁是由一个单一的小面。 SEM横截面图像显示对称的侧壁面,沿蓝宝石方向和不对称的侧壁面,沿蓝宝石方向的条纹的条纹。蚀刻深度是线性的蚀刻时间。蚀刻反应的活化能的温度范围340-400 ℃下进行了评价。据证实,蓝宝石沿方向的条纹是适用于低穿线错位氮化镓薄膜的横向外延过生长。


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