厚的InGaN蓝宝石衬底上金属有机物气相外延
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2014年2月08日
- 作者：Cloudy
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氮化镓或AlGaN构成的单晶膜进行厚的InGaN薄膜的生长和通过金属有机气相外延（ MOVPE ）缓冲液的氮化铝，
氮化镓或AlGaN构成的层。在InGaN构成上的氮化镓或者AlGaN薄膜，光滑的InGaN薄膜的小铟的摩尔分数是生长在由于晶格失配引起的强应力的初始生长阶段的生长。然而，随着增加的InGaN膜表面的厚度变得粗糙，由于氮化铟镓颗粒具有大的铟的摩尔分数的产生。光滑而厚（ 〜 2 μ M）的InGaN薄膜的大铟摩尔分数上生长的氮化铝，氮化镓或AlGaN缓冲层。
高效率的发光二极管发射琥珀色，绿色，蓝色和紫外光已经通过代替氮化镓活性层中使用的InGaN有源层来获得。在InGaN有源层造成的In组成的波动本地化的能量状态相关的InGaN基发光器件的高效率。蓝色和绿色的InGaN量子阱结构的发光二极管，每瓦5和30流明的发光效率，可以分别作出尽管有大量的穿透位错的（1×108到1×1012厘米2）。在蓝宝石上外延横向杂草丛生的氮化镓减少穿透位错从氮化镓外延层与蓝宝石衬底的界面始发的数量。形成氮化镓层的氧化硅掩模区域上方的氮化铟镓多量子阱结构的激光二极管可以有超过10000小时的寿命。位错增加半导体激光器的阈值电流密度。
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