为减少在a面氮化镓上的光发射器R-蓝宝石衬底和其应用的缺陷密度一步法横向生长
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2014年1月27日
- 作者：Cloudy
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低缺陷密度的a面氮化镓薄膜已成功由侧壁横向外延过生长（SELO）技术生长。采用这种技术，a面氮化镓薄膜的
原子级平坦的表面生长。该线位错和堆垛层错密度在杂草丛生的地区均低于106厘米-2和103 cm-1处分别。我们还制作并使用SELO技术特点a面氮化镓基发光二极管。蓝绿色LED的光输出功率被证明是单调递减穿透位错密度的增加。
绿色的GaInN / GaN势的量子阱发光二极管（LED ）晶片通过金属 - 有机汽相外延生长在c-面蓝宝石衬底上。没有粗糙的芯片表面，例如LED显示三倍光输出在平面上的蓝宝石结构。通过定量分析的增强归因于两者，提高发电效率和提取。光谱干扰和排放模式揭示了58 ％，提高光提取，而光致发光揭示了内部量子效率加倍。后者归因于在透射电子显微镜观察到的较低的44％的穿透位错密度。来自未包封衬底LED管芯的蓝宝石侧测得的局部光输出功率达到5.2 mW在525纳米处100毫安相比1.8毫瓦在参考LED。
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