平坦的氮化镓薄膜的精确偏移控制的蓝宝石衬底
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- 分类:蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2014年1月27日
- 作者:Cloudy
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高品质的薄氮化镓层具有原子级平坦的表面已经成功地生长在由金属有机物汽相外延精确的偏移角受控的蓝宝石衬底。底层的氮化铝层和氮化镓层之间的AlGaN层的插入被认为提高上部氮化镓层的结晶质量。
InGaN膜中通常已经上生长氮化镓外延层,但也很难生长,因为强烈的应激诱导的InGaN和氮化镓之间的大晶格失配,在氮化镓厚的InGaN膜。生长氮化镓厚的InGaN薄膜具有较差的表面。记载了几微米厚的厚的InGaN薄膜的生长已成功使用直接氮化铝缓冲层实现在蓝宝石衬底上。对氮化铝缓冲层均匀的InGaN与2.5微米的厚度和大型铟摩尔的0.2部分可以生长。
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