生长的常规蓝宝石锥形状图案化蓝宝石衬底的InGaN基LED的比较
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2014年1月26日
- 作者：Cloudy
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以提高外量子效率，高质量的InGaN/氮化镓膜是通过使用金属有机化合物化学气相沉积生长的锥形图案的蓝宝石基
板（CSPSS） 。该CSPSS的表面图案似乎是压缩应变与氮化镓和蓝宝石衬底之间的晶格失配的宽松松弛更有益的，因为氮化镓构成的CSPSS生长模式是相似的外延横向过生长的。生长在CSPSS的发光二极管（LED）的输出功率估计为16.5 mW在20毫安，这是由35％相比，生长在常规的蓝宝石衬底上的发光二极管的改进的正向电流。的显著增强输出功率是由于提取效率都增加，导致由于增强的光散射在CSPSS由于位错的减少增加的光子逸出概率，并且晶体质量的提高。
P-GaN/n-InGaN/n-GaN双异质结（ DH ）蓝色发光二极管（LED）成功地制造了第一次。输出功率为125 μW ，外部量子效率高达0.22％在20mA室温下的正向电流。电致发光（EL）的峰值波长和全宽度半最大值（FWHM）分别为440纳米和180兆电子伏。这个值FWHM是有史以来报道的氮化镓蓝色发光二极管最小。
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