半绝缘氮化镓金属有机物化学气相沉积生长氮化铝缓冲/蓝宝石衬底的研究
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2014年1月26日
- 作者：Cloudy
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半绝缘氮化镓上的氮化铝缓冲层，其沉积在蓝宝石基板上的显着改善的晶体质量由金属有机化学气相沉积生长。电
特性和结构特性的特征是暗电流 - 电压传输线模型和X-射线衍射测量。可以发现，在氮化镓外延层的晶体质量，强烈的降低温度氮化镓中间层的生长温度相关。与在蓝宝石上生长的正常的氮化镓相比，结晶品质显着地随着半绝缘的电性质得到改善。基于所述半绝缘氮化镓上的高迁移率的场效应晶体管器件显示出良好的夹断特性。氮化镓构成直接在氮化铝缓冲生长我们的电气测量结果表明，如生长，未掺杂的氮化镓自然是半绝缘性的材料。剩余的捐助者在蓝宝石衬底上的氮化镓正常生长的起源进行了讨论。
高品质的薄氮化镓层具有原子级平坦的表面已经成功地生长在由金属有机物汽相外延精确的偏移角受控的蓝宝石衬底，底层的氮化铝层和氮化镓层之间的氮化铝镓层的插入被认为提高上部氮化镓层的结晶质量。
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