氮化铝的蓝宝石上外延生长用金属有机化学气相沉积
- 详细资料
- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2014年1月24日
- 作者：Cloudy
- 点击数：628
外延氮化铝（AlN）膜，使用金属有机化学气相沉积（MO -CVD）生长在蓝宝石衬底的基底面，并且获得下列结
果。 （1 ）将基板温度和三甲基铝（ TMA）的生长速率浓度依赖性表明，在生长过程是由质量传递限制。 （2）外延膜的结晶完整性，强烈不仅由基板温度，而且还通过气体流动模式的影响。 （ 3 ）单晶氮化铝薄膜，其中包括无取向错误的谷物可以在〜 1200℃下小心地控制瓦斯流动规律外延生长。 （4 ）结晶缺陷是由面向其对应于在表面形态观察到的异常析出晶粒主要原因。
在基板界面附近的晶体结构已经被研究了由金属有机化学气相沉积生长在蓝宝石衬底上的AlGaN薄膜，使用氮化铝缓冲层。透射电子点阵图像显示，蓝宝石/氮化铝界面是一致的，与2.0nm的分隔失配位错，对应宽松的体晶格参数。缓冲层和AlGaN膜之间的界面进行了讨论。在基板界面附近的外延层中的缺陷结构主要由位错和堆垛层错躺在基底面的。
钼产品详情查阅：http://www.molybdenum.com.cn
订购电话：0592-5129696 传真：0592-5129797
电子邮件：
该Email地址已收到反垃圾邮件插件保护。要显示它您需要在浏览器中启用JavaScript。
钨钼文库：http://i.chinatungsten.com
钨新闻、价格手机网站，3G版：http://3g.chinatungsten.com
钨新闻、钨价格：http://www.chinatungsten.com
sales@chinatungsten.com