基于氮化铟镓的近紫外和使用图案化蓝宝石基板和网状电极具有高的外部量子效率的蓝色发光二极管
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2014年1月23日
- 作者：Cloudy
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明显提高发射光从氮化铟镓基发光二极管（ LED ）芯片的蓝宝石衬底上生长的提取效率。两个新的技术，这些LED
的制造被采纳。一个ISTO成长的图案化蓝宝石基板（PSS）的氮化物薄膜，以散射辐射光。另一种方法是使用铑网状电极对p-GaN接触代替镍/金的透光性电极，以便通过p型接触电极，以减少光吸收。我们制造的近紫外（正UV） ，并使用上述技术的蓝光LED。当第n -UV （400nm）的发光二极管是在20mA室温下的正向电流下工作，输出功率和外部量子效率估计为22.0mW和35.5 ％之间。当蓝色（460纳米）的LED是在20mA室温下，输出功率和外部量子效率的正向电流操作量估计他18.8毫瓦和34.9 ％之间。
氮化铟镓/氮化镓多量子阱的激励功率依赖性的内部量子效率（量子阱结构）的机制上生长在15和300 K时温度的平面和所述图案化蓝宝石衬底（PSS）的LED进行了调查。从观察中多量子阱具有不同激发功率为两个LED样品的发射峰的能量和载流子寿命变化趋势，我们得出结论的内部量子效率将增加，因为库仑屏蔽效应占主导地位在较低载流子注入阶段和减少由于带填充效应在较高密度的阶段。在室温下，大部分的初始注入的载流子将首先通过该阻碍进一步实现高效率的LED器件的热活化的非辐射中心消耗。在实验上，生长在PSS LED的内量子效率为〜 70％的生长平面蓝宝石衬底上的发光二极管的，这是〜 62％。对于生长在PSS LED时，所观察到的更高的内部量子效率是由于较大的活化能因此，减少位错缺陷和防止注入的载流子从扩展态逸出将是一个有希望的未来对于氮化铟镓/氮化镓势多量子阱LED，以实现高的内部量子效率。
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