在蓝宝石衬底氮化铟镓/氮化铝镓发光二极管通过金属有机化学气相沉积生长的光降解
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2014年1月22日
- 作者：Cloudy
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对由化学气相沉积生长的蓝宝石衬底报告的InGaN / AlGaN势双异质结构的发光二极管（LED）的光降解。电致发
光，电子束感生电流，并且阴极发光观察表明退化的InGaN / AlGaN势LED展品形成和黑斑和月牙形暗斑，它作为非辐射复合中心的传播。的降解速率在0.1 kA/cm2注入电流密度的值被确定为1.1× 10 -3 ，1.9 ×10-3和3.9 ×10- 3H-1，在30的环境温度，50和80℃下元。降解活化能也被确定为0.23电子伏特。
InGaN多量子阱（MQW）结构激光二极管（LD）的III- V族氮化物材料制备由与取向的蓝宝石基板（A面）金属有机化学气相沉积生长。通过切割沿的方向（ R面）的基板上形成的反射镜小平面的激光腔。作为有源层，该InGaN多量子阱结构被使用。该InGaN多量子阱的LD显示的光输出尖峰在415.6 nm处即有全宽半最大为0.05 nm的脉冲电流注入1.17在室温下。激光器的阈值电流密度为9.6 kA/cm2 。
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