在硅-蓝宝石衬底超结LDMOST
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2014年1月22日
- 作者：Cloudy
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超结横向双扩散MOST（ SJ- LDMOST ）在硅上的蓝宝石技术，瞄准功率集成电路（PIC ） 提出实施和特点。建议
架构消除了横向SJ设备从而实现了n和p SJ-支柱，以及在漂移区在关断状态的均匀电场分布之间的电荷补偿“基质辅助耗尽”的效果。该设备的三维（ 3-D）模拟中，使用真实的纵横比为SJ-支柱，表明一个显著减少在特定的导通电阻为一个给定的击穿电压可以比传统的降低表面电场（ RESURF实现）设备。实验装置采用了七面具CMOS兼容工艺实现。制造SJ- LDMOSTs为66微米的漂移区长度为1.2微米μm/0.7支柱纵横比（宽度/高度）表现出一个特定的导通电阻为0.82 Ω.cm2和击穿电压（BV） 500之间的范围内，并600 V相当于小于8.5 ％电荷不平衡的支柱。
界面能和接触角为液态铜蓝宝石和液体银蓝宝石系统作为氧气分压的函数使用的座滴法实验测定。对于γlg的氧化磷变化非常低的值虽小，但在氧分压，值足够高，以建立一个单层的液态金属， γlg线性减小而增加的log氧化磷。这条线的斜率与氧气通过吉布斯吸附方程的表面浓度。用于各种金属的蓝宝石系统， γlg被发现是接触角（θ）的余弦函数而γsl似乎是（θ）的线性函数。的理论模型已经发展到预测这种行为。与形成的界面化合物的自由能一经验常数被使用。该模型的有效性已经通过测试的铜，银，铁，和镍 - 蓝宝石系统。该模型也被用来预测效果o2on酸可溶钛的界面能并用于联合蓝宝石体系的接触角。
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