非极性a面的InGaN/GaN势光有关r面蓝宝石衬底的发光二极管的示范
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2014年1月17日
- 作者：Cloudy
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高结晶性与光滑的表面形貌a面氮化镓外延层由有机金属化学气相沉积生长在r面蓝宝石衬底。半最大值的X射线摇摆曲
线的全宽度测量为沿c轴方向407弧秒，均方根粗糙度为1.23纳米。非极性a面氮化铟镓/氮化镓发光二极管随后生长a面GaN模板，并在20 mA （ 3.36 V）驱动电流获得的0.72毫瓦的光输出功率和2.84毫瓦在100 mA时（ 4.62 V）用477 nm处的峰值发射波长。
激光剥离技术，来进行传输预制的InGaN多量子阱从蓝宝石发光二极管（LED ）到铜基板。银的环氧树脂被用作接合材料。表征结果显示，最大允许电流，光输出功率，并从使用导电铜基板的可靠性方面的巨大装置的改进。对铜的LED能够承受530 mA的最大电流击穿之前，而在蓝宝石上只能承受350毫安。在40毫安，对蓝宝石和铜LED的光输出功率为0.74和0.95兆瓦。此外，在300 mA的恒定电流可靠性试验表明改善光输出功率对铜的LED ，而蓝宝石的LED遭遇恶化与时间。
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