基于InGaN多量子阱结构的激光二极管
- 详细资料
- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2014年1月17日
- 作者：Cloudy
- 点击数：631
InGaN多量子阱（MQW）结构激光二极管（LD ）由Ⅲ - Ⅴ族氮化物材料制成是由在蓝宝石基板上的有机金属化学
气相沉积生长。由III-V族氮化物膜的蚀刻而没有解理形成的反射镜小面的激光腔。作为有源层，该InGaN多量子阱结构被使用。该InGaN多量子阱的LD产生215 mW在2.3 A的正向电流，与光输出在417 nm处的有一个全宽半高的1.6纳米的脉冲电流注入在室温下一个尖锐的峰。该激光器的阈值电流密度为4 kA/cm2 。发光波长是有史以来的半导体激光二极管中产生的最短的一个。
氮化铟镓/氮化镓双异质结发光二极管是捏造的。输出功率为90微瓦，外部量子效率高达0.15％在20mA室温下的正向电流。电致发光（EL）的峰值波长411和420纳米之间变化，以820和800 ℃之间变化的InGaN有源层的生长温度全宽度半最大值EL分别为22和25纳米之间。
钼产品详情查阅：http://www.molybdenum.com.cn
订购电话：0592-5129696 传真：0592-5129797
电子邮件：
该Email地址已收到反垃圾邮件插件保护。要显示它您需要在浏览器中启用JavaScript。
钨钼文库：http://i.chinatungsten.com
钨新闻、价格手机网站，3G版：http://3g.chinatungsten.com
钨新闻、钨价格：http://www.chinatungsten.com
sales@chinatungsten.com