内部和内部辐射对蓝宝石晶体的熔体生长中的作用
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2014年1月16日
- 作者：Cloudy
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对用于生长蓝宝石单晶，在生长过程中的特性，如温度和流场的内（壁到壁）和结晶内部（散装）辐射的影响下，
结构的感应加热提拉炉传热和晶体融化的数值使用二维准稳态有限元法界面进行了研究。全局分析所获得的结果表明温度场，热传输结构和晶体熔融接口的这两种类型的生长炉内的辐射热传递的一个很强的依赖性。
双向的氧化钛氧化物薄膜是通过电子回旋共振（ECR ）等离子体溅射制备的蓝宝石单晶衬底上。使用的靶是烧结的钛酸铋（BIT）和衬底的温度范围400-640 ℃（基板温度）来控制。溅射在基板温度= 400℃的膜是一种烧绿石型氧化物（Bi2Ti2O7），其在640 ℃下改变为钛酸铋的氧化物中，在500℃的多晶态，并在单结晶状态在溅镀，在640℃的膜，所述钛酸铋的面生长平行于和蓝宝石衬底的平面，并且钛酸铋的面生长平行于面的蓝宝石衬底。沉积速率为大约200个独立的溅射条件埃/分。
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