在蓝宝石上氮化铝薄膜的生长形态和表面声波测量

铝氮化物外延膜已生长于R-平面蓝宝石衬底上,并研究了其压电性能,适用于表面声波装置的应用程序。这里报道sapphire substrate的薄膜是由涉及的三甲基铝的气体与氨的反应在氢气存在下在温度约1200℃的化学气相沉积工艺生长使用改进的epireactor作为生长炉用气体喷射系统,指示气体流动到基片上,在500埃/分的增长率实现生产薄膜在10微米厚其表现出优异的机械和化学稳定性。 R平面,蓝宝石组成的Al和O与O-Al-O键,Al-O键的重复序列交替层。在原子的两个不同的层中,Al原子出现在紧密堆积结构,而氧原子被对准成沿[01¯11]方向的列。 AlN的六方晶系纤锌矿结构具有面由Al和N组成的共面原子的密堆积结构,但分隔成列的[0001]方向对准。当原子的列与蓝宝石和AlN方向共线(即,与在相同的方向上蓝宝石C的突起的AlN的c轴方向指向对准获得这两个平面的般配轴在R平面),给予2.7%和沿线跨越方向11.9%的晶格失配。

拨回在AlN轴然而,放置在蓝宝石的间隙位置,表示较差的晶格匹配的氮化铝原子。在AlN薄膜作为生长面形态,在扫描电子显微镜下检查,可分为两类。 I类功能,这些功能在一个方向都一致,而第二类包裹体非常独特的鳞片状面 - DES的鳞片状面排列,但指向伴随着一些虚假的核受到相反的方向。在蓝宝石基板的X-射线分析表明该面是使AlN的[0001]轴与R平面的方向取向的。在AlN薄膜的表面声波测量是通过从经抛光的表面制成的Al叉指式换能器的反射阻抗的测量进行。有结果的质量和表面形态的类别之间有一定的相关性。从类影片得到的结果我是始终比从第二类的电影,导致理论的确认,有氮化铝[0001]在R平面轴最大晶格匹配的最小应力增长的优选方向取得了较好的。表面声波耦合常数K2和传播速度Vs计算出的AlN厚度传感器的0.75波长比T /λ为0.8%,典型的K2值和6.1公里/秒比。从K2对t /λ的曲线时换能器的波长的相关性的研究中获得的初步结果表明,在AlN-蓝宝石界面应变约1μm延伸进入AlN膜。


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