单晶外延层转移到从液相取向的蓝宝石衬底上生长被示为需要的三个条件
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2013年12月04日
- 作者：Cloudy
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单晶外延层转移到从液相取向的蓝宝石衬底上生长被示为需要三个条件： 
1.适中的氢气环境中的分压，大于该平衡压力；
2.生长熔体定位在热梯度输送溶解式在生长界面上，并且成核；
3.在铍的添加到熔体生长的控制。
生长的研究在温度从850℃到1050℃表明，该层的厚度，式中，近似线性的时间和随生长温度和Ga的原子分数，式中生长的熔体。当式，在式基底面六边形方向内部裂纹发展的层 - 衬底界面和对式它们传播到表面并具有热蚀刻。下面给出液态镓与通式为式和式功能的交互。式I的溶解度低镓（式馏分在1150℃下）防止有用生长由熔体缓慢冷却。无法改变电子浓度，配方，用Zn的掺杂和式的减小与式中的生长熔体支持但不明确地证实了模型的原生供体是氮空位。
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