对反应的分子束外延生长GaN薄膜用氮化铝涂层的蓝宝石基板的电气和发光性能的改进
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2013年12月05日
- 作者：Cloudy
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由反应的分子束外延生长对AlN涂层蓝宝石GaN外延薄膜的电学和发光性能进行了研究。在GaN薄膜上的AlN外延膜
具有较大的霍尔迁移率，并显示出更强烈的阴极发光峰在360纳米的波长比在GaN薄膜上直接蓝宝石，这表明GaN薄膜的晶体品质是通过使用氮化铝，改进的生长涂层蓝宝石作为衬底。的晶格匹配和GaN和AlN之间的热膨胀系数的差小被认为是导致改进。
外延生长化学气相沉积系统蓝宝石，采用锌蒸汽和二氧化碳的反应，氧化锌薄膜进行了调查。增长率高达30微米/小时700-750 ℃，衬底温度得以实现。生长在薄presputtered层基材薄膜具有光滑的表面和提高晶体完整性通过扫描电镜，反射电子衍射，和声学评估确定。薄膜具有高电阻率，最终降低暴露于大气中。表面声波叉指式换能器上制备的锂扩散膜，以及1.39％的机电耦合系数，测定膜厚度与波长的0.13比。
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