硅薄膜的外延生长蒸发蓝宝石衬底
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2013年12月04日
- 作者：Cloudy
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蓝宝石衬底上蒸发在大约2 ×10-6乇的真空硅具有良好的结构和电学性能的单晶膜。硅蒸发为1500埃/分的高沉积速
率，使用专门设计的电子轰击装置。在生长过程中通过反射电子衍射和副本技术研究。初始沉积含有4优选方位，所有平行于衬底表面。在进一步沉积，四个方向之一的发展，并最终形成以约800埃的膜厚度的单晶膜。结果发现，在核的早期聚结发生的再结晶作用是必不可少的单晶膜的生长。测定所得薄膜的电性能， 0.7至6.1微米厚。随着薄膜厚度，载流子浓度下降从1017 1016holes/cm3和霍尔迁移率上升至250平方厘米/ V·秒。
十八烷酸对单晶C面和R-平面蓝宝石（α-Al2O3）的自组装单层的增长进行了研究易地轻敲模式原子力显微镜，接触角测量和傅里叶变换红外光谱。局部单层，生长期间中断，包含密密麻麻秩序井然阶段的低洼无序的分子矩阵中的孤岛。的有序相随着浸渍时间的函数的面积分数。生长动力学是在蓝宝石基板的历史敏感;例如，完整的细胞单层，在构造上新鲜退火（即，脱水）衬底1分钟在与老化1天基板1小时比较1.5mM的十六烷的溶液在环境条件下形成的。生长速度稍快是C-蓝宝石比R -蓝宝石。虽然弱结合，完整的单层非常有序的，适形，且基本上无缺陷的。
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