钼的化合物之二硅化钼
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- 分类：钼的知识
- 发布于 2013年3月28日
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二硅化钼（MoSi2）是钼、硅二元合金系中硅含量最高的一种中间相，它具有金属和陶瓷的双重特性,很高的熔点(2030℃)，但略低于单质金属钼的熔点(26l0℃)；极好的高温抗氧化性，几乎是所有难熔金属硅化物中最好的，其抗氧化温度可达1600℃以上，与SiC等硅基陶瓷相当；适中的密度(6.24g/cm3)；较低的线膨胀系数(8.1×10-6K-1)；良好的电热传导性(电阻率为21.50×10-6欧·cm，热导率为25W/(m．K)),被认为是继镍、钛超合金和结构陶瓷(使用温度大于1000℃)之后出现的极具竞争力的高温结构材料。
二硅化钼的合成方法：
机械合金化(MA)
机械合金化(MA)是一种通过机械-化学的作用，使纯元素的混合物经高能球磨而合成新材料的方法。用MA技术合成的MoSi2基高温结构材料具有较高的热压密度，较低的热压固结温度(比普通烧结低400℃左右)，相当好的化学均匀性和良好的室温硬度。
自蔓延高温合成(SHS)
自蔓延高温合成(SHS)是利用反应物间的化学反应完成新材料合成的技术。采用SHS技术合成MoSi2和Mo5Si3基高温结构材料时，是在一定的气氛中点燃粉末压坯，使其发生化学反应，所放出的生成热使邻近物料温度骤然升高而引发新的化学反应，并以燃烧波形式蔓延通过整个反应物，使合成反应在体系中自发完成。
低真空等离子喷涂沉积(LVPD)
低真空等离子喷涂沉积(LVPD)是在低真空环境内，使其内的惰性气体(氮气或氖气)形成高速等离子体，将喷涂材料粉末熔化并随等离子流撞击基体而沉积，形成晶粒尺寸非常小、化学均匀性好、不平衡溶解性强和接近产品最终形状的材料。采用LVPD法合成的MoSi2基高温结构材料．其相对密度达95％-98％，并呈现出高度细化的显微组织，其硬度和断裂韧性大大提高。
固态置换反应
MoSi2可以通过固态置换反应合成,利用该技术原位合成Si/MoSi2复合材料时发生反应，所形成的SiC长时间在高温下可导致球化，使复合材料的裂纹扩展并不伴随传统的脆性行为，而是呈现出裂纹的偏转和分支。
要使材料获得较好的性能并投人实际应用，可采用几种方法的合理组合，如在低真空等离子体喷涂沉积技术中引人固态置换反应就可大大加速其反应，并形成均匀分布的弥散体。
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