钼靶材的射频溅射
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- 分类：钼的知识
- 发布于 2017年3月02日
- 作者：qiongzhen
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随着近代电子技术的发展,对半导体器件的成膜质量要求越来越高,因而促进了真空淀积技术的进展,其中射频溅射便是一种较好的成膜方法。射频溅射可以在较低温度下,把一些难熔金属材料或介质材料作为薄膜。溅射时的沾污比蒸发小得多，膜质较纯，膜与衬底间的附着力强，层厚也较均匀。此外，溅射靶材的交换频度很小，一只靶子能连续使用很长时间才需更换，而且溅射率与各种成份的蒸气压无关，几乎不起分馏作用,制得的薄膜组份较均匀。
一般溅射只能溅射导电的金属材料，对于不导电的非金属材料（尤其是那些隔离性能良好的非金属材料）就不适用。这时采用射频溅射就能解决这个矛盾、其溅射靶子及其装配示意图如图1所示，当氩离子Ar+ 撞击到介质靶材上时，正电荷堆积在靶子表面，由于同性相斥之故，对随后继续向靶面轰击的Ar+ 起排斥作用，这样，溅射就无法进行。然而，如在介质靶材背面添加一个金属电极，在这个电极上加一个高频电压，使介质中感应产生位移电流，如此一来，负半周内在介质表面寄存的正电荷，会在正半周内被位移电流中和掉，溅射过程就能进行下去，所以射频溅射无论对金属材料或非金属材料都能适用。
金属钼的溅射分成两步进行：
1） 预溅：在样品尚未转到靶子下面，预先“空溅”5分钟，目的是去除金属钼靶表面的吸附物。
2） 正溅：把样品转移到靶子正下方，正式溅射5分钟，膜厚约2900埃（靶子与衬底间距约为4厘米）。溅射结束后必须关闭冲氩阀门，时间过长钼薄膜表面氧化，电阻增大。
溅射靶及其配装示意图
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