蓝宝石衬底的影响进程的LED发光效率
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2014年2月26日
- 作者：Cloudy
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在这项工作中使用的氮化镓样品用金属有机化学气相沉积（MOCVD）到c面蓝宝石基板上生长，氮化镓系LED的共
同结构被使用。它由大约200微米，那么1um的未掺杂氮化镓层， 2um的导电的n型氮化镓层，氮化铟镓/ 氮化镓多量子阱（MQW）有源层的低温氮化镓缓冲层，以及约0.5um的对型氮化镓层上的顶部。该设备制造的示意性过程示。首先，我们做芯片晶圆上的通用方法，该方法包括共同的氮化镓LED的制造步骤。光刻和干法刻蚀是在牛津Plasmalab 100电感耦合等离子体（ICP）反应器，以暴露n型氮化镓，那么标准的剥离工艺的镍金（5nm/5nm ）作为p型氮化镓欧姆接触的材料，钛进行/铝/钛/金作为通过电子束蒸发的n型欧姆接触。
退火之后，将镍-淀积银和剥离的衬垫，完成芯片在晶片的制造过程。其次，我们研磨和抛光的晶圆到100um的， 200微米和400um分开。的厚度的影响的研究之后，本200um的样本被选择为使得底部纹理样本。样品的部分是刚磨出的底部，使不规则的粗糙底面。样品的其它部分是通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD） ，使氧化硅掩模在晶片的底部。然后干法蚀刻中的牛津Plasmalab 100 ICP反应器中进行，其中在动力ICP源操作（1300W） 。在最后的样品通过激光划线和倒装芯片刻划于硅-副安装座，以形成倒装芯片LED 。亮度强度由向上侧光电检测器检测。
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