发光外延氮化镓蓝宝石衬底横向杂草丛生的：光谱表征和错位对比
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2014年1月20日
- 作者：Cloudy
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光致发光和阴极射线发光光谱记录在氮化镓外延在蓝宝石上横向杂草丛生。光子循环，从而影响附近的频带的边缘
过渡的位置，是通过改变加速电压体现在阴极发光（CL）光谱。记录在不同波长发光的单色图像表明，位错作为有效的非辐射复合中心，它们是不负责的黄色带。
铟镓氮的多量子阱（MQW）的发光二极管（LED）的膜，预制在蓝宝石生长衬底，用脉冲准分子激光加工产生。薄膜铟镓氮多量子阱发光二极管的结构，生长在蓝宝石衬底上，首先结合到同一个乙基氰基丙烯酸酯基粘合剂的硅支承衬底。一个单一的600 mJ/cm2的， 38纳秒的氟化氩（ 248 nm）的准分子激光脉冲，通过透明蓝宝石执导，其次是低温加热处理，除去基材。自由站立的铟镓氮 LED的膜，然后浸渍在丙酮中的InGaN LED /粘合剂/硅结构，以从支撑硅衬底释放设备制造。的电流 - 电压特性和LED的前后激光剥离室温发射光谱没有变化。
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