蓝宝石衬底表面氮化处理及其对氮化镓生长的影响

 
 

在1050℃下形成的蓝宝石(α- Al2O3)的基板表面上,加热该氮化的层中的氨气体,通过X-射线光电子能谱(XPS 蓝宝石衬底),原子力显微镜(AFM ),透射电子显微镜(TEM分析)和能量色散X射线光谱(EDX) 。其上的GaN在初始氮化和缓冲层的连续沉积的组合使用的生长的影响进行了检查,原子力显微镜观测。在XPS的N1s的氮峰的强度迅速与氮化时间的增加,在几分钟内达到饱和,然后再继续逐渐增加。

这种变化被认为对应于形态变化通过原子力显微镜观察发现,即从一台氮化的层,高密度( 109-1010厘米 - 2 )氮化的突起。 TEM观察和EDX测量结果表明,氮化形成由AlNxO1 -X的无定形层。平坦氮化的层,当与缓冲层结合,有利于在其上的厚氮化镓层的二维生长,同时用突起的结果在三维生长的层。因此,厚的氮化镓层具有光滑的表面,可以通过控制氮化的层,其中的晶体 - 无定形的晶体生长机理的成功运行的表面生长。


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