在氯化铟氨系统的氮化铟外延层的制备
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2013年12月30日
- 作者：Cloudy
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氮化铟中的使用氯化铟和'氨气之间的相互作用的开口管流法的外延生长进行了讨论。氮化铟上的外延层上生长单晶
取向的蓝宝石衬底的工艺和结构的完善各种工艺参数的影响被考虑。该方法的主要动能依赖性作图和discussed.氮化铟外延层分别镶嵌和n-型与电子浓度2· 1020-8 · 1021厘米-3和迁移率50-35平方厘米/分别V·秒。
最近的研究结果表明，公式可能是AP-型透明导体，但薄膜的合成是因为复杂的公式相图的困难。报告使得c轴取向配方薄膜的可靠的方法，薄膜前体沉积在蓝宝石衬底上射频溅射和脉冲激光沉积。在空气中含有公式和公式粉末封闭的坩埚随后的退火公式产生近晶相纯，双轴织构公式。该薄膜是p型和透明带式的间隙。
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