用于制造III族氮化物半导体激光器的方法步骤
- 详细资料
- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2013年12月19日
- 作者：Cloudy
- 点击数：558
用于制造III族氮化物半导体激光器的方法包括的步骤有：
形成氧化锌（ZnO）的一个区域的中间层，在蓝宝石基板与氮化铝（AlN）中的其它区域的中间层；
形成由多个子层的III族氮化物化合物半导体的半导体激光元件层（AlxGayIn1-x-yN，包括x = 0的情况下，Y = 0和X = Y = 0）在该中间层；
除去氧化锌（ZnO），通过湿蚀刻用的ZnO选择性液体蚀刻剂仅在中间层，从而形成间隙之间的所述蓝宝石衬底和所述半导体激光元件层的最底部的子层，以及切割所述半导体激光元件层用的辅助所述间隙，具有解理的被用来作为激光谐振腔的反射镜表面所得到的平面。
氧化锌（ZnO）的和氮化铝已接近那些III族氮化物化合物半导体的晶格常数（AlxGayIn1-x-yN，包括x = 0的情况下，Y = 0和X = Y = 0），并且这两种物质会使缓冲层，其有助于高品质在蓝宝石基板III族氮化物化合物半导体的生长。通过蚀刻掉氧化锌（ZnO）的唯一的中间层，可以形成在蓝宝石衬底和III族氮化物化合物半导体激光元件中的蚀刻区域层之间的间隙。这些间隙可被用作用于III族氮化物半导体激光器元件层的选择性裂解的导向，从而产生足够高质量的镜面，以允许可靠的激光腔的形成。这反过来又有助于在激光元件的输出功率的显着改善。
钼产品详情查阅：http://www.molybdenum.com.cn
订购电话：0592-5129696 传真：0592-5129797
电子邮件：
该Email地址已收到反垃圾邮件插件保护。要显示它您需要在浏览器中启用JavaScript。
钨钼文库：http://i.chinatungsten.com
钨新闻、价格手机网站，3G版：http://3g.chinatungsten.com
钨新闻、钨价格：http://www.chinatungsten.com
sales@chinatungsten.com