改变蓝宝石衬底主面取向的实验

实验改变了蓝宝石衬底的主面的取向,已在衬底上外延生长氮化镓基氮化物化合物半导体,切割生长层在多个方向蓝宝石衬底和检测的解理面的精度。事实证明,在氮化镓基半导体化合物外延生长在蓝宝石基板的表面上获得了良好的精度劈裂面,与生长的半导体层随后被切割的平行于衬底的c轴方向的方向。

实验已经完成在这些情况下,具有作为一个对象提供一个III族氮化物系化合物半导体激光二极管,其中激光谐振腔的两个端面的平行度和表面精度的程度进行了充分改进,以确保在激光器更高的效率振荡。


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