ZnO纳米棒阵列上的GaN /蓝宝石衬底选择性生长使用质子束书面面膜
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2013年12月11日
- 作者：Cloudy
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氮化镓的水热生长法生长在利用氧化锌纳米棒阵列控制的方式/蓝宝石衬底。质子束直写（ PBW ） ，并具有写维光
刻，对于聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）的图案，通过旋涂以掩盖GaN衬底。氧化锌，具有纤锌矿晶体结构相同，约1.9 ％的晶格失配低配的GaN ，基因和暴露的位置，其中的氮化镓垂直杆的增长。 ZnO纳米棒的X射线衍射（XRD）和microphotoluminescence光谱（ μ - PL）的结构和光学特性进行了进一步的研究。在380 nm波长处退火中氮的ZnO纳米棒显著提高了紫外（UV）光发射，并成功地显著下降，黄色和绿色的带外发射。这些结果表明，该新设备ZnO纳米结构的应用潜力。
以及垂直取向的氧化锌纳米线（NWS）使用Au膜作为催化剂用于气相传输法生长在c面蓝宝石。这个新的发现是意想不到的，由于这一事实，即下层衬底和18％的失配之间的氧化锌晶格中。 X-射线衍射（XRD）分析结果表明，在垂直于该蓝宝石衬底上，这证明了一个垂直平面蓝宝石的平面的方向上的单晶生长纤锌矿纳米线是氧化锌纳米线的生长是没有必要的，因为一直作为该前我们已经发现，通过控制膜的Au-金/蓝宝石衬底的热处理的预生长纳米线的厚度可以生长或倾斜的或垂直的。 Au膜的厚度为1 〜 10nm的原子力显微镜（AFM）和扫描电子显微镜（SEM）研究表明，在不存在薄膜退火后的纳米线可以从该表面上生长正常的32 °倾斜，从而导致一表面法线到纳米线的生长的预退火薄金膜的方向。我们认为，形成于所述法线方向和倾斜生长的铝离子和O组成的蓝宝石表面浓度。
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