辉钼在半导体领域的应用前景
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- 分类：钼的知识
- 发布于 2017年3月06日
- 作者：qiongzhen
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辉钼是一种非常有前途的半导体材料。公开资料显示，与传统的半导体材料——硅相比，辉钼的优势之一是体积更小，辉钼单分子层是二维，而硅是三维材料。辉钼的另一大优势，是比硅的能耗更低。辉钼材料被寄希望于制造更小、更高效的电子芯片，在下一代电子设备领域，将比传统硅材料和目前热门的石墨烯更有优势。目前研究主要集中在层状辉钼制备方法及其晶体管中的应用方面。目前的微机械剥离方法、嵌锂工艺都不能规模化制备层状辉钼。因此，辉钼要向产业发展还需要进一步研究制备工艺、辉钼的属性，同时，辉钼在晶体管、未来电子芯片中的应用研究还需要进一步加强。
辉钼作为性能良好的下一代半导体材料，在制造超小型晶体管、发光二极管和太阳能电池方面具有广阔的前景，但是该技术尚且处于实验阶段，离产业化还有较远的距离，未来如果该技术得以大规模应用，则能显著改善全球钼金属的贡献结构。目前全球钼的消费量约为21万吨，全球电子级与光伏极硅的年需求量约为20万吨，假设其中50%被替代，则钼的消费将新增10.5万吨/年，约占当前钼消费量的50%，这将显著改善钼行业的全球供需结构，但目前来看，辉钼在半导体材料的应用将对钼金属的需求带动有限。
因此，辉钼材料未来将对能源、军事等领域的发展产生极大的推进作用。不过，辉钼可完全替代硅材料还为时过早。
辉钼在晶体管中的应用
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