辉钼与晶体硅和石墨烯的比较分析
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- 分类：钼的知识
- 发布于 2017年3月06日
- 作者：qiongzhen
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辉钼是硫化物的一种，是一种软金属，触摸时有油腻感，又鳞状物组成，呈无光泽的铅灰色，若将其置于容器中加热，会产生黄色烟雾。在不锈钢上镀一层辉钼，能增加其韧度，并能防腐。辉钼作为一种新型的半导体材料，可以超越硅的物理极限，与传统的硅材料、富勒烯、石墨烯等在纳米电子设备应用方便更具优势。
一、辉钼与晶体硅材料相比，具有以下两点优势：
1）辉钼有助于进一步减小晶体管的尺寸，从而制造出一种体积更小、性能更好的电子设备。辉钼单分子层是二维的，而硅是一种三维材料。目前硅薄膜还不能做得像辉钼薄膜那么薄，制作硅芯片的极限厚度是2nm，如果厚度再缩小，其表面就容易在环境中发生氧化，影响硅芯片的电气性能。而辉钼材料制成的芯片即使在3个原子的厚度上也能正常工作，并且在这一尺度上的材料传导性依然稳定可控；
2）辉钼材料的另一个优点是其在带隙上的优势，有辉钼制成的芯片开关速度更快、能耗更低、实验表明，用单层辉钼制造的晶体管在稳定状态下的能耗为传统硅晶体管的十万分之一。
二、辉钼与石墨烯相比：
石墨烯最初被作为一种可以取代硅用于数字逻辑电路芯片的新兴材料，但石墨烯并非自然状态的半导体材料，它必须经过特殊工艺处理来实现这一目标。与石墨烯相比，辉钼具有天然带隙，有利于电子跃迁以控制通断，用氧化铪介质栅门还能大幅提高其电子流动性，属于真正的半导体材料，并且可以制成原子极厚度的集成电路；而石墨烯没有带隙，人为掺杂带隙非常困难，且会降低电子流动性，或者需要高电压。
辉钼矿
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