一种半导体器件中硅片和钼片的焊接方法
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- 分类：钼的知识
- 发布于 2017年3月03日
- 作者：qiongzhen
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钼是高熔点金属（熔点为2650℃），再结晶温度为1650℃，故也称难熔金属。它在电真空器件上的广泛应用早为人们熟悉，然而钼在半导体器件上的应用却鲜为人知。将钼应用于半导体器件上，可大程度提高半导体器件的性能。以下介绍一种半导体器件中钼片与硅片的焊接方法。
该方法包括以下步骤：
1）在钼片上设置第一银层；
2）在硅片的阳极上设置第二银层；
3）将第三银层设置于第一银层和第二银层之间；
4）通过第一银层、第二银层和第三银层的焊接，从而将硅片与钼片焊接在一起。
该方法工艺简单，成品率高，焊接强度高、焊接层空洞率低，变形量小，可大大的提高产品的性能。
磨光钼片
磨光钼片
磨光硅片
硅片
硅片
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