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性质：MoSi2是Mo－Si二元合金系中含硅量最高的一种中间相，是成分固定的道尔顿型金属间化合物，具有金属与陶瓷的双重特性，是一种性能优异的高温材料。极好的高温抗氧化性，抗氧化温度高达1600℃以上，与SiC相当；有适中的密度(6.24g/cm3)；较低的热膨胀系数(8.1×10-6K-1)；良好的电热传导性；较高的脆韧转变温度(1000℃)以下有陶瓷般的硬脆性。在1000℃以上呈金属般的软塑性。MoSi主要应用作发热元件、集成电路、高温抗氧化涂层及高温结构材料。

 

U型硅钼棒是硅钼棒电热元件中，最常用的一种规格，在电热设备中通过支撑夹头将元件垂直悬挂安装，避免将机械应力加到元件发热端上，否则容易引起元件断裂。

 

连续工作：硅钼棒长期高温连续工作，表层膜逐渐蒸发，使棒体从内部至表面进行热力学物相平衡，当表面硅的浓度梯度不足以形成最低硅化物相时，发生游离钼的氧化挥发，并在新的硅化钼界面上形成石英玻璃保护膜，如此不断挥发、生膜，元件则不断的减细，直到局部最小截面处超负荷烧断失效。这主要是连续窑炉硅钼棒的失效形式。

 

间隙工作：U型硅钼棒表层的石英玻璃膜在加热和冷却的热应力过程中，由热胀冷缩而引起的开裂、崩落、减薄，在裂纹及崩落的新表面上重新形成保护膜，该处即出现低于元件表面的凹坑，经一定次数的交替，元件表面形成直径1；2mm，深度0.2；0.5mm 的连续麻面，最后在最小截面处超温烧断。这主要是间隙炉的失效形式。

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