由钼和铜化钼的蓝宝石晶片衬底
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2014年2月24日
- 作者：Cloudy
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在LED芯片上的半导体层转换电流转化为光。它们由过剩电子的区域（n型掺杂）和一个区域，其中有电子（p-掺
杂）的短缺。当电流施加到所述半导体层，所述电子分布平衡了。他们自然会焕发光光子的形式。剩余的能量在温度高达85℃。
在未来LED将更加光彩夺目。和操作温度将上升。钼圆片衬底，例如在蓝宝石或硅为基础的（Si）的LED芯片，并且我们已经开发专门为在蓝宝石基LED芯片使用铜化钼复合材料的使用，攀时有散热的最佳材料，它的范围。
晶片衬底键合到LED芯片上的半导体层在温度高达800 ℃。 R670的铜化钼材料特制我们开发的蓝宝石基板LED ，是专为焊接过程中以及在LED芯片长期散热。 R670的热膨胀相同的系数（CTE = 6.7 ppm /度）为氧化铝。氧化铝是两个蓝宝石晶片和在LED芯片的陶瓷载体板的基体材料。铜化钼晶片的均匀的热膨胀，蓝宝石基板和陶瓷基板可以防止在半导体层及焊锡层的缺陷。
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