蓝宝石衬底氧化铈薄膜的溅射工艺特性
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2013年12月25日
- 作者：Cloudy
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在R面蓝宝石衬底两英寸直径的CeO2薄膜使用的是同轴射频磁控溅射法编制。后续退火处理，溅射气体的压力和对
氧化铈薄膜的取向，结晶度和表面形态的衬底温度的影响进行了研究。优选的氧化铈薄膜具有高结晶生长，在820℃，0.15乇和具有全宽为0.15°面的摇摆曲线的半最大值。跨越2英寸的衬底的氧化铈薄膜的厚度的空间变化是约5.8％。 c轴取向YBa2Cu3O×（YBCO）蓝宝石衬底上生长具有（100）优选的CeO2缓冲为100nm的一层薄膜制成。的YBCO薄膜具有超导性能与T C为88-90 K和J C（77 K，0 T）为（1-3）×106 A/cm2的。
氧化铈外延薄膜的分子束外延生长有关r-切割蓝宝石。该氧化铈薄膜生长取向的CeO2薄膜的构成提供的R- Al2O3载体上。我们已经找到了R- Al2O3衬底的退火温度为1050 ℃， 10小时明显增强有关r- Al2O3载体为主的CeO2薄膜的外延生长。在生长过程中使用的RF的活性氧源氧化进一步提高了有关r -Al2O3的取向的CeO2薄膜的生长。高质量的外延取向的CeO2薄膜可以通过采用较低的沉积速率（<1 A / S）和衬底温度高于650℃，无论是从铈金属或氧化铈陶瓷源上生长退火R-氧化铝基板。该氧化铈薄膜用2θ - θ ， ω扫描和φ扫描测量。生长在退火R-氧化铝基板上的氧化铈薄膜表现出较高的结晶度与摇摆的0.07 °，氧化铈的反射曲线宽度，具有良好的平面外延。这些二氧化铈薄膜可以用作缓冲层用于在蓝宝石衬底上高质量的高温超导薄膜的生长。
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