单晶氮化镓纳米带在蓝宝石衬底上的合成试验
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2013年12月17日
- 作者：Cloudy
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合成了一个两步生长技术的氮化镓纳米带。首先，氧化镓薄膜的厚度为 500nm的使用JCK- 500A射频沉积在清洁的
蓝宝石磁控溅射系统。在蓝宝石基板上采用丙酮，异丙醇和去离子水的沉积前清洗。溅射室的背景压力为约5 ×10-4 Pa和气体用Ar的比值：在溅射过程中N2 = 10:1下1帕的压力被引入到所述腔室。两个Ar和N2的纯度为99.999 ％。目标是氧化镓（99.999％）和在靶和基板之间的距离为80mm 。该射频和溅射的功率分别为13.56兆赫和150瓦，分别。
在第二个步骤中，溅射氧化镓薄膜样品在氮化一个L4513II-2/QWZ开管式炉中。当管加热到1000℃的平衡温度，高纯度的NH 3 （99.999％ ）与300毫升的流速/分钟引入到管中的氧化镓薄膜，插入管之前。氮化反应进行10分钟，然后炉子的功率被关掉。炉被允许在没有流动的氨的自然冷却至室温，最后将样品从炉中用于表征取出。
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