蓝宝石衬底异质外延生长
- 详细资料
- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2013年12月13日
- 作者：Cloudy
- 点击数：662
氮化镓磷化物（GaN1-XPX）外延淀积在蓝宝石衬底上的镓的BR2-NH 3-PH3-N2体系的气相反应。结果发现，该组
合物的x和GaN1-XPX单晶的生长速率在很大程度上取决于衬底温度和PH 3的流速引入到反应管中。的组分x的增加而降低衬底的温度。所获得的最大组分x为0.064在1000degC的衬底温度。生长速率的增加而PH3的增加流速引入到反应管中。在1030degC的衬底温度，GaN1-XPX的生长率（X≈0.05）显着高于GaN构成较大的22倍。在GaN1-XPX单晶的背反射发散光束图案中观察到的衍射线是广泛的，并没有显示出分离，由于Kα1和Kα2射线。
一贯低位错密度midwavelength红外线（X = 0.31）液相外延碲镉汞具有优良的形态的外延层，使用一种新的低温（420℃），碲熔融过程上生长2英寸蓝宝石衬底（PACE-1）。表面腐蚀坑密度（EPD的）之间的5×105和9×使用先前报道的化学蚀刻。剖环保署访问揭示更迅速降低的缺陷从所述CdTe缓冲层的界面相比，传统方法种植的（500℃）的材料。 X射线摇摆曲线宽度从43到66弧秒进行常规观察。 77 K时电子迁移率高达51 000 cm2/V-s进行了测定。二次离子质谱分析法剖面显示的最小杂质的吸杂在碲镉汞/ CdTe的缓冲层界面。
钼产品详情查阅：http://www.molybdenum.com.cn
订购电话：0592-5129696 传真：0592-5129797
电子邮件：
该Email地址已收到反垃圾邮件插件保护。要显示它您需要在浏览器中启用JavaScript。
钨钼文库：http://i.chinatungsten.com
钨新闻、价格手机网站，3G版：http://3g.chinatungsten.com
钨新闻、钨价格：http://www.chinatungsten.com
sales@chinatungsten.com