电抗器和厚的GaN层通过HVPE在蓝宝石衬底上生长发育过程优化
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2013年11月29日
- 作者：Cloudy
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总体而言，120微米厚的GaN层无裂纹一直生长在蓝宝石衬底上用氢化物气相外延。这已经通过基于三维建模过程
中，选择的生长参数特别是载体气体的成分和适宜的 GaN /蓝宝石模板的使用在反应器中的流动模式的优化来实现。一个重要的发现是，大约50 ％的N2载体的H2含量收益率最低的裂纹密度。
薄膜是在蓝宝石衬底上用脉冲激光沉积后，加温混合，还原性气体冷长大，丰富的镁、锆吸除环境大气压在750℃和950 ° C。该膜具有范围在29-34 K，20 K时，在20的4-6.2 ķ T的逆相关性被发现之间和这些膜的〜 0.1-1微米的晶粒尺寸和范围和不可逆性的字段强双轴取向中观察到950℃ annealedfilm取向的氧化镁中也观察到。膜的晶化过程中的镁涂层出现改善膜。
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