生长在蓝宝石衬底高度有序的AlN纳米线阵列的光学特性

两种技术描述由单晶蓝宝石的可以生长。一个是垂直拉技术用于生产分散,无lowdislocation密度材料的发展,而另蓝宝石基板一种是以前用于钨酸钙的浮区,重结晶技术的延伸。在用这些技术生长的晶体缺陷的起源和控制进行了讨论。

通过在蓝宝石基板上的简单的物理气相沉积法合成了高度有序的AlN纳米线阵列。纳米线有一个非常尖锐的针尖« 10纳米,大约3微米的平均长度。在氮化铝纳米线阵列的拉曼光谱的分析表明,声子的寿命比在大尺寸AlN短。在AlN纳米线的透射谱呈现蓝移〜 0.27电子伏特的吸收边带,大部分的AlN ,这是密切相关的纳米线的小尺寸。


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