蓝宝石生长炉的改进
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2013年11月25日
- 作者：Cloudy
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大直径蓝宝石晶体所使用的热交换器的方法（ HEM ）生长，为了解决蓝宝石30千克电流应用中，直径25厘米晶柱
已投入生产。的（ 0001 ）取向晶柱生长的可行性已被证明。这允许更大的蓝宝石元件零双折射光学应用。下摆已被改编为“熔模铸造”技术，可直接从熔体日益复杂的蓝宝石组成部分。
对改善蓝宝石编写的边缘限定薄膜喂养生长技术，晶体质量的潜力进行调查发现晶体缺陷是由光学显微镜和X射线形貌观察。蓝宝石色带生长在单个或多个形式的感应炉中使用石墨感受器和钼反射镜。空隙，晶界和位错出现在蓝宝石ribons就生长条件。空隙通过增加上述约0.7毫米/分的生长速率形成。晶界是由不完善的外延构成的籽和熔体之间，或由内生位错的棱角。应激诱导和生长，位错在无空隙和晶界中的薄带分别进行观察。该应力引起的位错主要是通过冷却带在低于150 ℃/ h的速率受到抑制。长大于位错完全被由颈缩或通过使用一个倾斜的上模实现的凸形接口销。无位错蓝宝石色带分别实现。
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