蓝宝石基板的长晶要求
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- 分类：蓝宝石长晶炉-钼制品新闻
- 发布于 2013年11月14日
- 作者：Cloudy
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目前由于投资的增加和来自硅基板的竞争，蓝宝石基板厂商需要进一步降低生产成本。LED芯片厂商出于降低成本
的考虑将逐渐倾向于采用大尺寸基板，硅基板在大尺寸方面具有明显优势，因此，蓝宝石基板想在市场竞争中获胜必须满足LED对尺寸的要求，同时降低生产成本。由于晶格匹配的原因，LED的核心材料GaN薄膜最适合在C面蓝宝石基板上外延生长，但C轴长晶比A轴长晶更为困难，因此目前传统的蓝宝石长晶方法多采用A轴长晶，但A轴长晶生长出的晶锭需从侧面掏棒才能获得C向蓝宝石晶棒进而加工成C向蓝宝石基板，如此则会大大降低晶锭的材料利用率，如泡生法，其材料利用率在35%左右，采用C轴长晶可使材料利用率提高至80%，从而大大降低蓝宝石生产成本；另外，采用A轴长晶方法基板各部分生长时间不同，因此均匀性较差，而采用C轴长晶方法基板同一时间生成，均匀性高，如图1所示；同时采用C轴长晶较A轴长晶可以更容易获得大尺寸的C向蓝宝石基板。
蓝宝石长晶所用坩埚也是成本的重要组成部分，坩埚重复使用可以降低成本。提高长晶炉自动化程度和晶锭成品率、生长大尺寸晶锭、减少长晶时间也是降低生产蓝宝石成本的重要方法。
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