硫化钼研究获突破 概念股表现活跃
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- 分类：钼业新闻
- 发布于 2013年5月30日
- 作者：CCJ
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据外媒报道，美国北卡州立大学的研究人员表示，他们开发出了制造高质量原子量级半导体薄膜(薄膜厚度仅为单原子直径)的新技术，新技术能将现有半导体技术的规模缩小到原子量级，包括激光器、发光二极管和计算机芯片等；而其所用材料硫化钼成为关键。
据悉，研究人员研究的材料是硫化钼，它是一种价格低廉的半导体材料，电子和光学特性与目前半导体工业界所用的材料相似。然而，硫化钼又与其他半导体材料有所不同，因为它能以单原子分层生长形成单层薄膜，同时薄膜又不会失去原有的材料特性。
众所周知，石墨烯在A股市场上不时掀起炒作狂潮，而石墨烯自身的发展，也早就不局限于概念的炒作。如今，分析人士表示，单层辉钼材料有望取代现有的矽和热门石墨烯，成为下一代半导体材料，其发展潜力不容小觑。
此次氧化硫研究获得突破后，半导体薄膜在纳米电子器件中将更受欢迎；分析人士指出，A股市场中沾“钼”概念，如洛阳钼业、新华龙及金钼股份将有望受到资金的青睐。
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