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二碲化钼-新型半导体材料

硅是最普遍使用的半导体材料。但是但是它具有两个缺点：一是当硅涂层变薄，它的电子性能就会衰退；二它的简介能带隙使得它很难应用于光电工程中，大大限制了硅的使用范围。所以许多科学家都在寻找新的半导体材料。二碲化钼是由日韩团队研发的一种新型半导体材料。

其实二碲化钼早在1960年代就被合成出来，但因为它不能以单纯的形式获得并利用于电子设 备上所以一直没有被重视，直到，该团队研制出提炼出一种纯度很高的二碲化钼，才打开了其半导体的应用领域。在此之前，二碲化钼主要作为固体润滑剂应用于各 种不同领域。二碲化钼具有比硅更好的性能，它的同质结效率极高，是硅的10~50倍，电子可以在其中迅速运动。另外，它具有与硅几乎一样的能带隙。因此可 以代替硅成为新型的半导体材料。与简单制造出单原子层的石墨烯不同，它们之间的相互作用很大，因此用二碲化钼做出独层通道的晶体管原型并不容易。

二碲化钼是一种灰色六角形粉末状固体。它的物理、化学性质如下所示：分子式：MeTe₂,，分子量：351.14，CAS号：12058-20-7，EINECS号：235-028-4，能在碱中分解，不溶于水，可溶于硝酸，在空气中较稳定，在真空中于高温下可以分解。

钼可以和碲在密闭的真空管子中，在高温环境下直接化合成异质同相化合物。具体操作步骤如下：在430℃时钼与碲化合，高温时可反应形成MoTe₂(MoTex  x=1.88～2）或Mo₃Te₄。化学反应式：Mo+2Te→MoTe₂。

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