二硅化钼在集成电路薄膜的应用
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- 分类：钼的知识
- 发布于 2013年8月28日
- 作者：陈桂兰
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金属硅化物因具有类似干金属的低电阻以及高温下的稳定性，更由于可直接在多晶硅上沉积，当电阻减小时能保持住基本的MOS电路多晶硅栅，而受到人们高度的重视。如果仅考虑比电阻小这一方面，则钼、钨、钽、钻、钛等过渡金届的硅化物均可采用。然而，在大规模集成电路(LSl)制造过程中，由干要经受1000℃以上的高温处理和高温氧化，这些材料均必须进行耐高温处理。因此，如果同时考虑这些因素，那就只剩下钼、钽和钨等少数几种硅化物。近几年用于LSI栅极互连线的难溶金属硅化物最受人注目的是TiSi2、TaSi2、MoSi2和WSi2等四种。研究证明，化学气相沉积(CVD)以及阴极元素靶共溅射是制备上述难熔金属硅化物薄膜最好的选择。对于MoSi2薄膜，一般是在高温下先获得无定形结构，然后再经800-1000℃的退火处理，使其转化为稳定的四方MoSi2相，从而得到高的电导率。随着集成电路集成度的进一步提高，可以肯定难溶金属硅化物的需求一定会增长。当然，为了能够更好的实用化，必须在尽量不改变目前集成电路制造工艺、耐氧化处理、又与硅和SiO2有良好的结合性等方面进行深入细致的研究。
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