二硫化钼纳米片功函数相关研究进展
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- 分类：钼的知识
- 发布于 2014年7月09日
- 作者：ling
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哈尔滨工业大学的研究人员在二维二硫化钼纳米片功函数及载流子浓度调控研究方面取得进展，相关论文日前在《美国化学会·纳米》（ACS Nano）刊发。
据介绍，与石墨烯相比，二维二硫化钼纳米片具有合适的带隙，适用于光检测等功能器件。金属电极与二硫化钼纳米片之间的电接触行为对器件性能的影响很大，研究者需要了解接触处的能带排列，因此对二硫化钼纳米片功函数的表征及调控成为最近的研究热点。
研究人员通过引入具有偶极动量的自组装单分子层，成功对二硫化钼纳米片载流子及功函数进行了调控，其自组装单层能够使得单层二硫化钼纳米片的场效应晶体管极性发生变化。通过调节二硫化钼纳米片的功函数来调控二硫化钼纳米片功能器件中金属电极与二硫化钼接触处的接触势垒，能够指导基于电接触的功能器件的设计及制备，用于气敏及光响应器件等领域。
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