藍寶石襯底的影響進程的LED發光效率
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：26 二月 2014
- 作者 Cloudy
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在這項工作中使用的氮化鎵樣品用金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）到c面藍寶石基板上生長，氮化鎵系LED的共
同結構被使用。它由大約200微米，那麼1um的未摻雜氮化鎵層， 2um的導電的n型氮化鎵層，氮化銦鎵/ 氮化鎵多量子阱（MQW）有源層的低溫氮化鎵緩沖層，以及約0.5um的對型氮化鎵層上的頂部。該設備制造的示意性過程示。首先，我們做芯片晶圓上的通用方法，該方法包括共同的氮化鎵LED的制造步驟。光刻和幹法刻蝕是在牛津Plasmalab 100電感耦合等離子體（ICP）反應器，以暴露n型氮化鎵，那麼標准的剝離工藝的鎳金（5nm/5nm ）作為p型氮化鎵歐姆接觸的材料，鈦進行/鋁/鈦/金作為通過電子束蒸發的n型歐姆接觸。
退火之後，將鎳-澱積銀和剝離的襯墊，完成芯片在晶片的制造過程。其次，我們研磨和拋光的晶圓到100um的， 200微米和400um分開。的厚度的影響的研究之後，本200um的樣本被選擇為使得底部紋理樣本。樣品的部分是剛磨出的底部，使不規則的粗糙底面。樣品的其它部分是通過等離子體增強化學氣相沉積（PECVD） ，使氧化矽掩模在晶片的底部。然後幹法蝕刻中的牛津Plasmalab 100 ICP反應器中進行，其中在動力ICP源操作（1300W） 。在最後的樣品通過激光劃線和倒裝芯片刻劃於矽-副安裝座，以形成倒裝芯片LED 。亮度強度由向上側光電檢測器檢測。
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