通過界面空洞的自我分離一個厚的氮化鋁層從藍寶石襯底上通過藍寶石的分解

 
 

一種技術用於分離氫化物氣相外延(HVPE )在藍寶石襯底上生長的厚氮化鋁層的開發。通過在1450 ℃下在含有氫藍寶石襯底氣和氨氣的氣體流熱處理,許多空隙可以形成於在1065 ℃下生長的薄(100nm)的氮化鋁層和藍寶石襯底之間的界面處,由於藍寶石的優先分解。在一個厚( 85微米)的氮化鋁層,從與所述界面空隙的援助的藍寶石襯底分離的厚的AlN層的隨後生長之後的冷卻過程。這樣獲得的獨立的AlN基板具有光滑的表面,為1.1的位錯密度×109厘米2 ,而對於波長高於208.1納米的透光性。

氮化鋁層的生長溫度是在金屬有機氣相外延(MOVPE)生長的最重要的因素之一。使用高溫MOVPE系統的氮化鋁層生長。結晶質量的X-射線衍射,原子力顯微鏡(AFM) ,透射電子顯微鏡(TEM)測量的基礎上進行討論。在1400 ℃的溫度下生長的樣品在一半最大值和AFM根均方粗糙度具有大為改善的結晶質量的X射線搖擺曲線全寬度方面。此外,根據TEM分析,造成小角度晶界刃型位錯是低生長溫度下占主導地位,而這些混亂成了隨生長溫度要少得多。


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