C面藍寶石氮化鎵磊晶通過射頻等離子體氮化預處理
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：11 二月 2014
- 作者 Cloudy
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氮化鎵在藍寶石上分子束外延生長層的結晶質量通常是通過在襯底的氮化改善。使用X-射線光電子能譜法，低能電
子衍射和原子力顯微鏡在暴露於RF等離子體來檢查對於c面藍寶石氮化的情況下產生的氮自由基。表面氮化物的單層〜 300分鐘的曝光與基板後，在400 ℃下形成延長暴露引起的c-面藍寶石突起的生長，從而導致粗糙的表面形態。此外，我們報告去除在熱處理時不定表面的碳在300℃下在氮等離子體中，盡管有效率進行氫等離子體清洗相比也有所減少。
通過使用掩模圖案化的氮化鎵外延層在藍寶石襯底上低壓有機金屬氣相外延進行氮化鎵的選擇性生長。5-16微米的直徑，具有光滑的豎直面和無脊生長氮化鎵六角形微棱鏡，制備了在藍寶石襯底上。氮化鎵構成這個垂直刻面平行於一個面藍寶石襯底的。無論是使用藍寶石襯底和低工作壓力上外延GaN層的貢獻得到平滑的頂部和垂直的面的表面。另外，氮化鎵構成的條紋結構，得到了具有矩形橫截面。此外，掩模圖案化方向的選擇被認為是因為30 °旋轉的氮化鎵層和藍寶石襯底之間的晶格取向的重要。
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