生長外延橫向長滿氮化鎵襯底InGaN基藍色發光二極管
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- 分類：藍寶石長晶爐-钼制品新聞
- 發佈於：12 二月 2014
- 作者 Cloudy
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InGaN單量子阱結構的藍色發光二極管（LED）上生長外延橫向雜草叢生的氮化鎵（ELOG）和藍寶石襯底。發射
光譜顯示了類似的藍移而增加的正向電流為兩個LED 。兩個發光二極管的輸出功率幾乎相同，高達6 mW在20mA的電流。在藍寶石上的LED有與上ELOG比較了大量的泄漏電流。這些結果表明，在組合物中的波動不是由位錯引起的位錯不采取行動，在InGaN作為非輻射複合中心，位錯形成的漏電流通路中的InGaN。
氮化銦鎵型氮化鎵多量子阱（MQW ），藍色和綠色發光二極管（LED）是由有機金屬氣相磊晶准備並且這些LED的性能進行了光致發光（ PL ） ，雙晶X射線衍射和電致發光評價致發光（EL ）測量結果發現只有在當增加的量子阱的數目（ QW）的藍色LED的MQW的PL和EL的峰值位置觀察到小的變化然而在PL和EL峰的位置顯著轉變為綠色多量子阱發光二極管進行觀察時量子阱的數目增加。有人還發現，有藍色MQW LED的大藍移EL峰位高電流注入下。然而，藍移綠多量子阱發光二極管是小到可以忽略時，注入電流很大。這些觀察結果都可以被歸因於綠色的多量子阱發光二極管的快速弛豫由於在InGaN阱的In組成比率是高的綠色的多量子阱發光二極管。綠色MQW LED的正向電壓Vf也被發現是比由於同樣的原因，藍色LED的MQW較大。
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