基於InGaN的紫色激光二極管

 
 

高效率的發光二極管發射琥珀色,綠色,藍色和紫外光已經通過替代氮化鎵活性層使用InGaN有源層獲得。在藍寶石襯底InGaN有源層造成的In組成波動的局部能量狀態似乎已被相關的InGaN基發光器件的高效率。長壽命紫色的InGaN multi-quantum-well/GaN/AlGaN單獨禁閉異質結激光二極管(LD )成功地制作中,采用側向外延生長氮化鎵雜草叢生通過減少大量的線位錯的氮化鎵和藍寶石襯底之間的界面發起的。穿透位錯通過增加閾值電流密度的縮短的LD的壽命。與切割鏡面的摩門教顯示輸出功率高達30毫瓦下室溫連續波( CW)操作與穩定基橫模。這些LD在5兆瓦的恒定輸出功率的壽命估計為下連續運行約3000小時在50° C的環境溫度這些結果表明,這些LD的已經可以被用於許多實際的應用中,例如數字通用盤,激光打印機,傳感器和令人興奮的光源作為商業產品具有高輸出功率和高的可靠性。

條紋和脊幾何中的InGaN多量子阱(MQW )結構激光二極管(LD )的制作在藍寶石基板與方向(A面) 。脊幾何InGaN多量子阱的LD表現出較強的受激發射在411.3納米波長的脈沖電流注入199毫安在室溫下。每面的微分量子效率和脊幾何LD的閾值電流分別為30%和180毫安。該激光器的閾值電流密度為3 kA/cm2 。這些值相比,那些條形幾何的LD都大大提高。閾值電流的溫度特性是大約185 K。


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